------------------------------------



------------------------------------


• 5-3-3-3 — на чтение первого слова данных выделено пять тактов, на чтение каждого из остальных слов — по три такта. Это значение применяют при использовании чипсетов, подобных 430НХ/ТХ, и качественной памяти типа FPM DRAM;
• 5-2-2-2 — на чтение первого слова данных выделено пять тактов, на чтение каждого из остальных слов — по два такта. Это значение применяют при использовании чипсетов, подобных 430НХ/ТХ, и качественной памяти типа EDO DRAM;
• 5-1-1-1 — на чтение первого слова данных выделено пять тактов, на чтение каждого из остальных слов — по одному такту. Это значение применяют при использовании чипсетов, подобных 430ТХ, и памяти типа SDRAM;
• 4-1-1-1 — на чтение первого слова данных выделено четыре такта, на чтение каждого из остальных слов — по одному такту. Это значение применяют при использовании чипсетов, подобных 440ЕХ, и памяти типа SDRAM;
• 3-1-1-1 — на чтение первого слова данных выделено три такта, на чтение каждого из остальных слов — по одному такту. Это значение применяют при использовании чипсетов, подобных 440BX/GX, или более быстрых, в сочетании с памятью типа SDRAM или DDR SDRAM. Разумеется, приведенные примеры использования этого параметра не являются безусловным руководством к действию. Для каждой компьютерной системы существует свое оптимальное значение параметра. Для его нахождения следует поша- Работа с оперативной памятью типа DRAM 321 гово изменять данный параметр, проводя тестирование системы на стабильность работы после каждого изменения. Если на каком-то шаге начнут появляться сообщения об ошибках — следует вернуться к предыдущему значению. DRAM Read Latch Delay Параметр позволяет установить интервал задержки между появлением данных в регистре памяти и началом их чтения. В принципе, при появлении данных в регистре можно немедленно начинать их считывание. Однако практика показывает, что для устойчивой работы системы очень полезна небольшая задержка перед началом чтения. Эта задержка обычно измеряется в наносекундах. Разумеется, чем меньше ее значение — тем выше быстродействие компьютерной системы. Возможные значения:
• ns — задержка перед началом чтения данных из регистра памяти отсутствует;
• 0.5 ns — задержка перед началом чтения данных из регистра памяти составляет половину наносекунды;
• ns — задержка перед началом чтения данных из регистра памяти составляет одну наносекунду;
• 1.5 ns — задержка перед началом чтения данных из регистра памяти составляет полторы наносекунды. DRAM Refresh Method Параметр может также именоваться DRAM Refresh Type. Он позволяет выбрать метод регенерации оперативной памяти. В каждом меню программы настройки BIOS обычно содержится не более двух возможных значений параметра из приведенного ниже списка. Одно значение способствует более стабильной работе системы, а другое - более производительной. Возможные значения параметра:
• CAS Before RAS - метод регенерации оперативной памяти, при котором сигнал CAS# (строб, содержащий номер столбца матрицы данных) должен устанавливаться раньше сигнала RAS# (строба, содержащего номер строки матрицы);
• RAS Only - метод регенерации оперативной памяти, при котором активно ис- пользуется только сигнал RAS#;
• RAS Before CAS - метод регенерации оперативной памяти, при котором сигнал RAS# должен устанавливаться ранее сигнала CAS#;
• Normal - обычный метод регенерации оперативной памяти. Во время регенерации памяти процессор не имеет к ней доступа; 322 Глава 9. Устаревшие параметры BIOS
• Hidden — скрытый метод регенерации оперативной памяти. Контроллер отслеживает наиболее удобные моменты для проведения регенерации, процессор сохраняет доступ к памяти в течение всего процесса регенерации. DRAM Refresh Period

<< назад                        следущая страница >>


2008 © Computer repair