------------------------------------



------------------------------------


• 8Т — страница памяти закрывается после восьми тактов ожидания. DRAM R/W Leadoff Timing Параметр позволяет настроить скорость работы с оперативной памятью типа DRAM. Здесь можно указать, сколько тактов системной шины должно быть выделено для каждой операции чтения или записи данных. Разумеется, чем меньше тактов системной шины выделяется для каждой операции — тем быстрее работает система. Однако при установке слишком низких значений работа системы может стать нестабильной. Предельно допустимые значения этого параметра зависят от модели установленных модулей оперативной памяти, а также от их качества. Возможные значения:
• 8/7 — на операцию чтения данных выделяется восемь тактов системной шины, а на операцию записи — семь тактов;
• 7/5 — на операцию чтения данных выделяется семь тактов системной шины, на операцию записи — пять тактов;
• б — на операцию чтения или записи данных выделяется шесть тактов системной шины;
• 5 — на операцию чтения или записи данных выделяется пять тактов системной шины. Иногда здесь могут встречаться и другие значения. Данный параметр актуален для модулей памяти типа DRAM, однако может использоваться и с другими типами оперативной памяти. DRAM RAS# Only Refresh Параметр позволяет установить специальный режим регенерации оперативной памяти, в котором для перебора строк памяти используется внутренний счетчик. Данный режим должен аппаратно поддерживаться модулями памяти, установленными в системе. Он напоминает режим CAS Before RAS, в котором сигнал CAS# (содержащий номер колонки данных) устанавливается чипсетом раньше, чем сигнал RAS# (содержащий номер строки данных). Включение этой функции может несколько повысить быстродействие системы. Но если режим аппаратно не поддерживается — включать его нельзя, иначе нормальная работа системы станет невозможной. Впрочем, большинство современных модулей памяти такой режим поддерживают. Возможные значения:
• Enabled - включен режим регенерации оперативной памяти с использованием внутреннего счетчика для перебора строк; Ш Disabled — регенерация памяти проводится обычным способом. 318 Глава 9. Устаревшие параметры BIOS DRAM RAS# Precharge Time Параметр определяет интервал задержки перед появлением сигнала RAS# (содержащего номер строки данных) в процессе регенерации памяти. За время этой задержки происходит накопление необходимого заряда. Параметр используется, если в системе установлена оперативная память типа DRAM. Время задержки обычно устанавливается в тактах системной шины. Иногда этот параметр именуется DRAM RAS# Precharge Period. Чем больше время задержки — тем стабильнее работает система. Напротив, уменьшение значения данного параметра повышает риск возникновения непредвиденных сбоев в работе системы. Регенерация памяти в этом случае может производиться не полностью (в связи с нехваткой заряда), и часть данных из памяти просто исчезнет. Возможные значения:
• О, ОТ или 0 Clocks — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации памяти отсутствует;
• 1, IT или 1 CLock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет один системный такт;
• 2, 2Т или 2 Clock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет два системных такта;
• 3, ЗТ или 3 Clock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет три системных такта;
• 4,4Т или 4 Clock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет четыре системных такта;
• 5, 5Т или 5 Clock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет пять системных тактов;
• б, бТ или б Clock(s) — задержка перед появлением сигнала RAS# в процессе регенерации оперативной памяти составляет шесть системных тактов. DRAM Read Around Write Параметр позволяет повысить скорость работы оперативной памяти. Правда, это возможно только в том случае, когда подобный режим аппаратно поддерживается

<< назад                        следущая страница >>


2008 © Computer repair